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硅基射频系列无源器件
时间：2020-03-24浏览量：994芯片电容 序号 容值（pF） 耐压（V） 芯片尺寸 宽（mm） 长（mm） 厚（mm） 1 20 100 0.3 0.3 0.15 2 50 100 0.41 0.41 0.15 3 100 100 0.55 0.55 0.15 4 200 100 0.74 0.74 0.15 5 1000 100 1.53 1.53 0.15...
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功分器系列
时间：2020-03-24浏览量：919序号 工作 功能描述 芯片尺寸 备注 频段 宽（mm） 长（mm） 厚（mm） 1 Ka 01分2 3 3 0.1 4款 2 Ka 01分2 0.6 0.68 0.1 2款 3 Ka 01分3 1.14 1.59 0.1 2款...
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固定衰减器
时间：2020-03-24浏览量：877序号 工作频段 衰减量 芯片尺寸 备注 （dB） 宽（mm） 长（mm） 厚（mm） 1 Ka 1 0.64 0.64 0.1 2款(、T型) 2 Ka 2 0.64 0.64 0.1 2款(、T型) 3 Ka 3 0.64 0.64 0.1 2款(、T型) 4 Ka 5 0.64 0.64 0.1 6款(、T型) 5 Ka...
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气体传感器
时间：2020-03-17浏览量：844具有低应力复合介质成膜、高精度金属lift-off、高质量湿法腐蚀等关键工艺能力，可实现应用于气体传感器微加热平台、MEMS流量传感器等器件的批产工艺加工。...
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光MEMS
时间：2020-03-17浏览量：866具有双层SOI硅硅直接键合、高深宽比台阶梳齿刻蚀、单片SOI深沟槽介质隔离、高质量金属镜面制作等关键工艺能力，可实现可调光衰减器、光开关等光通讯MEMS微镜、扫描成像用光MEMS振镜...
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